PacTechでは無電解ニッケルめっきでUBMを形成した後、次の3つのいずれかのプロセスを用いはんだバンプを形成しています。

  • SB2を用いたはんだボールの単発搭載
  • Ultra-SB²を用いたはんだボールの一括マウント
  • はんだボールのリワーク(はんだボール除去と再実装)

製品タイプ, バンプ高さ要件, パッドピッチ, バンプのボリュームなどに基づき選択します。

3つの製造拠点すべてで使用されている標準的なプロセスフローは次のとおりです。

  1. 入荷:開梱, 作業指示の準備
  2. 受入検査
  3. 無電解ニッケルUBM形成(詳細は無電解めっきのページ)
  4. フラックス塗布/はんだボールマウント(上記の3つの方法のうちの1つ)
  5. リフロー
  6. ウェハー洗浄
  7. 工程内検査(シェアテスト、バンプ高さ測定、歩留まり検査など)
  8. 出荷検査
  9. 発送:梱包および提出用書類のまとめ(レポート、データファイルなど)

フリップチップ, WLCSPのバンピング工程概要:

ウェハーバンピング工程は、多くの場合フリップチップ(FC)バンピングとウェハーレベルチップスケールパッケージ(WLCSP)バンピングの2つのカテゴリに分けられます。
この分類は、主にははんだバンプサイズとパッケージの構成部材に基づいています。

「FC」は、はんだバンプ高さが50〜200μmの範囲内にあり、一般的にパッケージと基板との間にアンダーフィルを用い組み立てられるパッケージを指します。

「WLCSP」は、はんだバンプ高さが200〜500μmの範囲内にあり、一般的にアンダーフィルを用いず組み立てられるパッケージを指します。

どちらも基本的な流れとして、ウェハーパッド上にバリアメタル(UBM)を形成し、続いてはんだバンプを形成します。

 

Wafer Bond Pads
ウェハーのボンディングパッド

 

e-Ni/Au Plated UBM
無電解Ni/Au UBM

 

Solder Deposition
はんだバンプ形成

 

PacTechの提供する一般的なはんだ組成

SnAgCu (SAC305, SAC405, SAC105)
SnAg
PbSn 95/5, PbSn 90/10
AuSn 80/20
InSn
SnBi

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