チップソーティング - PacTech - Packaging Technologies GmbH

PacTechではウェハーをダイシングした後にダイをダイシングテープから取り出し、ワッフルパック, ゲルパック, エンボステープなどのキャリアで出荷することが可能です。
少量生産では手作業で、量産では自動でこれを行います。

マニュアルプロセスではダイはテープから手作業でトレイにロードされます。テープからはがす際にはダイセパレータを使用し、剥がした後ダイは一時的に仮置き用のフィルム上に乗せられます。次に、作業員は真空ピンセットを使用して、ダイをフィルムから適切なキャリアに移動します。

自動プロセスでは、ウェハーはダイシングフレームに残したままピックアンドプレース装置にロードされます。装置中でウェハーがクランプされると、テープが引き伸ばされて、各ダイ間の距離が広がります。続いてエジェクトピンがテープ越しにダイを持ち上げることでテープの接着が弱まります。その後バキュームピックアップアームがダイを掴み、キャリア上にロードします。この装置ではプローブテストおよび外観検査中にダイの表面に残ったインクドットを認識するようにプログラムされています。マップデータを使用して、検査で弾かれたダイを識別できます。

入荷ウェハー要求仕様:

ウェハー	材質:	Si, GaAs, SiGe, InP, LiTaO3, セラミック, ラミネート, ガラス, 石英
	サイズ:	100 mm	125 mm	150 mm	200 mm	300 mm
	厚み: 標準 Special	200-550 mm 100-200 mm	200-650 mm 100-200 mm	200-700 mm 100-200 mm	200-750 mm 100-200 mm	350-800 mm 200-350 mm
	裏面: 標準 Special Special	熱酸化膜, SiO2, ポリマー金属膜 (例: TiNiAg, Au, etc…) は保護用のレジストやラミネートが必要ですグランドは保護用のレジストやラミネートが必要です
	状態:	欠け無き事

パッシベーション

材質: 無機

ポリマー

Si3N4, SiO2, SiOxNy, PSG

ポリイミド, BCB, SU8, WPR

状態:

パッド上に残渣物がなく、かつ欠陥やピンホール無き事

パッド	めっき	Cu	AlCu		AlSiCu		Ni
	厚み: フリップチップ *WLCSP ワイヤーボンディング	>0.25 µm >0.25 µm >0.25 µm	>0.8 µm >1.5 µm >0.8 µm		>0.8 µm >1.5 µm >0.8 µm		>0.25 µm >0.25 µm >0.25 µm
	パッド形状:	円形		八角形		四角形
	パッドサイズ: 標準 Special	>φ40 µm <φ10 µm		>40 µm x 40 µm <10 µm x 10 µm		>20 µm x 20 µm <10 µm x 10 µm
	ピッチ:	パッド間距離 > 2 x Ni高さ + 10 µm
	状態:	有機又はシリコーンベースのコンタミ無き事

* 備考: 薄いAlパッドを持つWLCSPの場合Alの厚膜化が可能です

ダイ	ダイシングストリート:	イオンドープされたSiは熱酸化膜によって分離されている必要がある露出しているパッド等はめっきされるためレジストで保護すること
	プローブマーク:	パッドサイズの1/4未満であること。なおAlまたはCuパッドを貫通していてはならない。
	インクドット:	硬化したエポキシは通常受け入れ可インクの安定性を評価する必要がある
	ヒューズリンク: Alヒューズ多結晶Siヒューズ	Al: レジストで保護すること多結晶Si: ヒューズが飛んでいない場合通常は受け入れ可。レジストによる保護が必要な場合がある。
	状態:	めっきされるのを防ぐためパッシベーションのピンホールはレジストによる保護が必要です

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