ウェハーダイシングは、ウェハーを個々のシリコンチップ(ダイ)に切断するプロセスです。 ダイシングプロセスは、ダイ間の余分な領域(ダイシングストリートまたはスクライブラインと呼ばれる)をウェハーを機械的に切断することによって行われます。

wafer-dicing-sawing

Optical image of dicing cuts through e-Ni/Au feature in street

無電解Ni/Au上を通るダイシングストリート

ダイシングにあたり最初にウェハーをテープに貼り付け、裏面を支持する必要があります。ダイシングテープは通常、厚さが3mmtで、片側に接着剤が付いており、これを使ってウェハーをダイシングフレームに固定します。 このプロセスはテープマウンターを使って以下の手順で行われます。

1) ダイシングフレームとウェハーは下向きの状態でテープマウンターのチャック上に置かれます

2) ダイシングテープをウェハーおよびダイシングフレームの裏面に貼り付け、ローラーで加圧することで接着面を均します

3) 余分なテープを切断します

4) ウェハーとダイシングフレームをアンロードします

wafer-frame-tape-disco

ウェハーとフレーム (Disco)

PacTechではウェハーのマウント時に, ウエハーの亀裂や破損, テープの接着面の気泡, ウェハーのアクティブ面へのスクラッチ, テープのしわの原因となる不均一なテープへの張力など細心の注意を払ってプロセスを実行しています。

ダイシングフレームへの取り付け後、ウェハーはダイサーにロードされます。このステップでは、ウェハーを個々のダイにカットします。ダイシングプロセスは、次のステップで構成されています。

1)ウェハーはフレームごとバキュームチャックで固定され、X/Y方向の位置合わせを行います

2)ニッケルメッキされたダイヤモンドホイールを使用して、プログラムされた寸法に従い、ウェハー厚 + 1〜2 milの切込み深さでカットを行います(他のブレードタイプは、材料とカット寸法に応じて使用します) ダブルカットを行うことも可能です

3)ウェハーは、高圧のイオン交換水の洗浄プロセスを経て赤外線で乾燥されます

研磨くずを洗い流し, 摩擦を抑え, 冷却を行うためにもイオン交換水はダイシング中常にディスペンスされています。

高品質なカット実現のため、以下のパラメータを調整いたします:

1)送り速度(ウェハーがブレード上を通過する速度)

2)スピンドル回転数

3)切込み深さ

4)水流

洗浄工程のパラメータは以下の通りです:

1)洗浄時間と洗浄時回転数

2)水圧

3)乾燥時間と乾燥時回転数

4)温度

5)エアー流量

入荷ウェハー要求仕様:
ウェハー 材質: Si, GaAs, SiGe, InP, LiTaO3, セラミック, ガラス, 石英
サイズ: 100 mm 125 mm 150 mm 200 mm 300 mm

厚み:       標準

Special

200-550 µm

100-200 µm

200-650 µm

100-200 µm

200-700 µm

100-200 µm

200-750 µm

100-200 µm

350-800 µm

200-350 µm

状態: 欠け無き事

 

ダイ ダイシングストリート: > 60µm
状態:
ウェハーダイシング一般規約:

 

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